domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > TK39N60W5,S1VF
Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
TK39N60W5,S1VF
| EXSHINE Part Number: | EX-TK39N60W5,S1VF |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | TK39N60W5,S1VF |
| Výrobce / Značka: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stručný popis: | MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247 |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | TK39N60W5 |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Dostupnost v reálném čase pro
TK39N60W5,S1VF
Na skladě: 16660 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
Na skladě: 16660 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Vgs (th) (max) 'Id | 4.5V @ 1.9mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technika | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dodavatel zařízení Package | TO-247 |
| Série | DTMOSIV |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 19.4A, 10V |
| Ztráta energie (Max) | 270W (Tc) |
| Obal | Tube |
| Paket / krabice | TO-247-3 |
| Ostatní jména | TK39N60W5,S1VF(S TK39N60W5S1VF |
| Provozní teplota | 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 12 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce | TK39N60W5,S1VF |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs | 135nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET Feature | - |
| Rozšířený popis | N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.) | 10V |
| Drain na zdroj napětí (Vdss) | 600V |
| Popis | MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247 |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C | 38.8A (Ta) |
Ostatní
| standardní balení | 30 |
|---|---|
| Ostatní jména | TK39N60W5,S1VF(S TK39N60W5S1VF |
Můžete si vybrat níže uvedené platební možnosti. Máte-li jakékoli dotazy, kontaktujte náš prodejní tým.
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
Můžete si vybrat níže uvedené možnosti dodání, kontaktujte náš prodejní tým a zkontrolujte náklady na dopravu na vaši adresu.
Pokud nechcete používat naši přepravní službu, můžete si také vyzvednout z našeho skladu nebo loď pomocí vašeho kurýrního účtu.
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
TK3J10TKTK3J10 TK ZIP New Original StocksPohledPoptávka -
TK3A60DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SISStaženíPohledUS$ 1.026Poptávka -
TK3L10ZSHITK3L10Z SHI SIP-8 new date code and low pricePohledPoptávka -
TK39N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247StaženíPohledUS$ 3.718Poptávka -
TK3A60DTOSHIBATK3A60D TOSHIBA TO-220F New in stockPohledPoptávka -
TK3L102ORIGINALTK3L102 ORIGINAL DIP new date code and low pricePohledPoptávka -
TK3906NND03ORIGINALLow Price TK3906NND03 ORIGINAL WBFBP-03B(1.21.20.PohledPoptávka -
TK3904NND03 1NTASUNDLow Price TK3904NND03 1N TASUND WBFBP-03BPohledPoptávka -
TK3904NND03ORIGINALLow Price TK3904NND03 ORIGINAL WBFBP-03B(1.21.20.PohledPoptávka -
TK3L10TKTK3L10 TK ZIP New Original StocksPohledPoptávka -
TK39J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3PStaženíPohledUS$ 6.347Poptávka -
TK39N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 600V 38.8A TO247StaženíPohledUS$ 6.77Poptávka -
TK3906NND03 3NZTJLow Price TK3906NND03 3N ZTJ WBFBP-03BPohledPoptávka -
TK3906LLD03 3NLRCKTGLow Price TK3906LLD03 3N LRCKTG WBFBP-03DPohledPoptávka -
TK3A60DA(Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SISStaženíPohledUS$ 0.893Poptávka -
TK3A65DA(STA4,QM)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SISStaženíPohledUS$ 1.294Poptávka -
TK3A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 650V 3A TO-220SISStaženíPohledUS$ 1.367Poptávka -
TK39A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 600V 39A TO220-3StaženíPohledUS$ 6.347Poptávka -
TK3906LLD03ORIGINALLow Price TK3906LLD03 ORIGINAL WBFBP-03D(1.01.00.PohledPoptávka -
TK39J60W5,S1VQToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)StaženíPohledUS$ 7.194Poptávka
Distributor Toshiba Semiconductor and Storage
- Společnost Touchstone Semiconductor Inc. vytváří vysoce výkonné analogové integrované obvody (IC), které řeší kritické problémy pro elektronické společnosti. Naše proprietární produkty nabízejí jedinečnou kombinaci vlastností a výkonu, které nelze nalézt jinde na analogovém trhu. Naše výrobky s druhým zdrojem jsou kompatibilní se špičkami a specifikacemi, které jsou shodné s konkurenčními nabídkami a poskytují ideální alternativu pro těžko zabezpečitelné výrobky s jediným zdrojem. Společnost Touchstone, která byla založena v roce 2010, sídlí v Milpitas v Kalifornii. Mezi její investory patří Opus Capital a Khosla Ventures.
Naším posláním na společnosti Touchstone Semiconductor je navržení skvělých vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů, které vám pomohou vyřešit problémy vašich zákazníků. Děláme to vývojem vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů s nízkým výkonem, které snižují spotřebu energie ve vašich produktech.