domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > RN2910FE,LF(CB
Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
RN2910FE,LF(CB
| EXSHINE Part Number: | EX-RN2910FE,LF(CB |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | RN2910FE,LF(CB |
| Výrobce / Značka: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stručný popis: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | RN2910FE-11FE |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Dostupnost v reálném čase pro
RN2910FE,LF(CB
Na skladě: 54003000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
Na skladě: 54003000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package | ES6 |
| Série | - |
| Odpor - Vysílač Base (R2) (Ohm) | - |
| Odpor - Base (R1) (Ohm) | 4.7k |
| Power - Max | 100mW |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | SOT-563, SOT-666 |
| Ostatní jména | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 16 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce | RN2910FE,LF(CB |
| Frekvence - Přechod | 200MHz |
| Rozšířený popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Popis | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Ostatní
| standardní balení | 4,000 |
|---|---|
| Ostatní jména | RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5LFT)TR RN2910FE(T5LFT)TR-ND RN2910FE,LF(CT RN2910FELF(CBTR RN2910FELF(CTTR RN2910FELF(CTTR-ND |
Můžete si vybrat níže uvedené platební možnosti. Máte-li jakékoli dotazy, kontaktujte náš prodejní tým.
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
Můžete si vybrat níže uvedené možnosti dodání, kontaktujte náš prodejní tým a zkontrolujte náklady na dopravu na vaši adresu.
Pokud nechcete používat naši přepravní službu, můžete si také vyzvednout z našeho skladu nebo loď pomocí vašeho kurýrního účtu.
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
RN2910FSTOSHIBARN2910FS TOSHIBA Fs6 new date code and low pricePohledPoptávka -
RN2909FETOSHIBATOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) ICPohledPoptávka -
RN2909(TE85LF)TOSHIBALow Price RN2909(TE85LF) TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN2911FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6StaženíPohledPoptávka -
RN2911TOSHIBATOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) ICPohledPoptávka -
RN2909FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6StaženíPohledUS$ 0.065Poptávka -
RN2911(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6StaženíPohledPoptávka -
RN2911 / YMTOSHIBARN2911 / YM TOSHIBA SOT-363 new date code and low pricePohledPoptávka -
RN2911,LFToshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6StaženíPohledUS$ 0.044Poptávka -
RN2911(TE85LF)TOSHIBARN2911(TE85LF) TOSHIBA SMD or Through Hole new date code and low pricePohledPoptávka -
RN2910AFSTOSHIBARN2910AFS TOSHIBA fS6 new date code and low pricePohledPoptávka -
RN2911FETOSHIBARN2911FE TOSHIBA SOT363 New Original StocksPohledPoptávka -
RN2909(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6StaženíPohledPoptávka -
RN2910FE TEL:82766440TOSHIBARN2910FE TEL:82766440 TOSHIBA SOT-423 new date code and low pricePohledPoptávka -
RN2910(TE85LF)TOSHIBARN2910(TE85LF) TOSHIBA SMD or Through Hole new date code and low pricePohledPoptávka -
RN2911AFSTOSHIBARN2911AFS TOSHIBA fS6 new date code and low pricePohledPoptávka -
RN2910TOSHIBATOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) ICPohledPoptávka -
RN2910FETOSHIBARN2910FE TOSHIBA SOT-563 new date code and low pricePohledPoptávka -
RN2910(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6StaženíPohledPoptávka -
RN2911FSTOSHIBARN2911FS TOSHIBA SOT23-6 new date code and low pricePohledPoptávka
Distributor Toshiba Semiconductor and Storage
- Společnost Touchstone Semiconductor Inc. vytváří vysoce výkonné analogové integrované obvody (IC), které řeší kritické problémy pro elektronické společnosti. Naše proprietární produkty nabízejí jedinečnou kombinaci vlastností a výkonu, které nelze nalézt jinde na analogovém trhu. Naše výrobky s druhým zdrojem jsou kompatibilní se špičkami a specifikacemi, které jsou shodné s konkurenčními nabídkami a poskytují ideální alternativu pro těžko zabezpečitelné výrobky s jediným zdrojem. Společnost Touchstone, která byla založena v roce 2010, sídlí v Milpitas v Kalifornii. Mezi její investory patří Opus Capital a Khosla Ventures.
Naším posláním na společnosti Touchstone Semiconductor je navržení skvělých vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů, které vám pomohou vyřešit problémy vašich zákazníků. Děláme to vývojem vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů s nízkým výkonem, které snižují spotřebu energie ve vašich produktech.