domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > RN2907FE,LF(CB
Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
RN2907FE,LF(CB
| EXSHINE Part Number: | EX-RN2907FE,LF(CB |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | RN2907FE,LF(CB |
| Výrobce / Značka: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stručný popis: | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | RN2907FE-09FE |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Dostupnost v reálném čase pro
RN2907FE,LF(CB
Na skladě: 84934000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
Na skladě: 84934000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package | ES6 |
| Série | - |
| Odpor - Vysílač Base (R2) (Ohm) | 47k |
| Odpor - Base (R1) (Ohm) | 10k |
| Power - Max | 100mW |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | SOT-563, SOT-666 |
| Ostatní jména | RN2907FE(T5L,F,T) RN2907FE(T5LFT)TR RN2907FE(T5LFT)TR-ND RN2907FE,LF(CT RN2907FELF(CBTR RN2907FELF(CTTR RN2907FELF(CTTR-ND |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 16 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce | RN2907FE,LF(CB |
| Frekvence - Přechod | 200MHz |
| Rozšířený popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Popis | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max) | 500nA |
| Proud - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Ostatní
| Ostatní jména | RN2907FE(T5L,F,T) RN2907FE(T5LFT)TR RN2907FE(T5LFT)TR-ND RN2907FE,LF(CT RN2907FELF(CBTR RN2907FELF(CTTR RN2907FELF(CTTR-ND |
|---|---|
| standardní balení | 4,000 |
Můžete si vybrat níže uvedené platební možnosti. Máte-li jakékoli dotazy, kontaktujte náš prodejní tým.
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
Můžete si vybrat níže uvedené možnosti dodání, kontaktujte náš prodejní tým a zkontrolujte náklady na dopravu na vaši adresu.
Pokud nechcete používat naši přepravní službu, můžete si také vyzvednout z našeho skladu nebo loď pomocí vašeho kurýrního účtu.
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
RN2907(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6StaženíPohledPoptávka -
RN2907_07TOSHIBASilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver CiPohledPoptávka -
RN2908 TE85LTOSHIBALow Price RN2908 TE85L TOSHIBA SOT353PohledPoptávka -
RN2906FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6StaženíPohledPoptávka -
RN2907FSTOSHIBALow Price RN2907FS TOSHIBA SOT23-6PohledPoptávka -
RN2907 / YHTOSHIBANew Stocks RN2907 / YH TOSHIBA SOT-353PohledPoptávka -
RN2908(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6StaženíPohledPoptávka -
RN2907-T1ORIGINALRN2907-T1 SOT-23 Original Package StockPohledPoptávka -
RN2908 TE85L(YI)TOSHIBALow Price RN2908 TE85L(YI) TOSHIBA SOT363PohledPoptávka -
RN2908FETOSHIBATOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) ICPohledPoptávka -
RN2908FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6StaženíPohledUS$ 0.065Poptávka -
RN2908TE85LTOSHNew Stocks RN2908TE85L TOSH SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN2906FS(TPL3)TOSHIBALow Price RN2906FS(TPL3) TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN2908TOSHIBASilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver CiPohledPoptávka -
RN2907FE(TE85L,F)TOSHIBANew Stocks RN2907FE(TE85L,F) TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN2907(TE85LF)TOSHIBALow Price RN2907(TE85LF) TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN2906FSTOSHIBALow Price RN2906FS TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN2907FETOSHIBATOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) ICPohledPoptávka -
RN2907TOSHIBASilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver CiPohledPoptávka -
RN2908(TE85LF)TOSHIBALow Price RN2908(TE85LF) TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka
Distributor Toshiba Semiconductor and Storage
- Společnost Touchstone Semiconductor Inc. vytváří vysoce výkonné analogové integrované obvody (IC), které řeší kritické problémy pro elektronické společnosti. Naše proprietární produkty nabízejí jedinečnou kombinaci vlastností a výkonu, které nelze nalézt jinde na analogovém trhu. Naše výrobky s druhým zdrojem jsou kompatibilní se špičkami a specifikacemi, které jsou shodné s konkurenčními nabídkami a poskytují ideální alternativu pro těžko zabezpečitelné výrobky s jediným zdrojem. Společnost Touchstone, která byla založena v roce 2010, sídlí v Milpitas v Kalifornii. Mezi její investory patří Opus Capital a Khosla Ventures.
Naším posláním na společnosti Touchstone Semiconductor je navržení skvělých vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů, které vám pomohou vyřešit problémy vašich zákazníků. Děláme to vývojem vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů s nízkým výkonem, které snižují spotřebu energie ve vašich produktech.