domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > RN1964FE(TE85L,F)
Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
RN1964FE(TE85L,F)
| EXSHINE Part Number: | EX-RN1964FE(TE85L,F) |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | RN1964FE(TE85L,F) |
| Výrobce / Značka: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stručný popis: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | RN1961-66FE |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Dostupnost v reálném čase pro
RN1964FE(TE85L,F)
Na skladě: 71016000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
Na skladě: 71016000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package | ES6 |
| Série | - |
| Odpor - Vysílač Base (R2) (Ohm) | 47k |
| Odpor - Base (R1) (Ohm) | 47k |
| Power - Max | 100mW |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | SOT-563, SOT-666 |
| Ostatní jména | RN1964FE(TE85LF)TR RN1964FETE85LF |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce | RN1964FE(TE85L,F) |
| Frekvence - Přechod | 250MHz |
| Rozšířený popis | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Popis | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Ostatní
| standardní balení | 4,000 |
|---|---|
| Ostatní jména | RN1964FE(TE85LF)TR RN1964FETE85LF |
Můžete si vybrat níže uvedené platební možnosti. Máte-li jakékoli dotazy, kontaktujte náš prodejní tým.
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
Můžete si vybrat níže uvedené možnosti dodání, kontaktujte náš prodejní tým a zkontrolujte náklady na dopravu na vaši adresu.
Pokud nechcete používat naši přepravní službu, můžete si také vyzvednout z našeho skladu nebo loď pomocí vašeho kurýrního účtu.
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
RN1964FS(TPL3)ToshibaNew Stocks RN1964FS(TPL3) Toshiba SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN1965FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6StaženíPohledUS$ 0.076Poptávka -
RN1964TE85LTOSHIBANew Stocks RN1964TE85L TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN1964TOSHIBATOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ICPohledPoptávka -
RN1964(TE85R) SOT363-XXDTOSHIBANew Stocks RN1964(TE85R) SOT363-XXD TOSHIBA SOT-363 SOT-323-6PohledPoptávka -
RN1965TE85LTOSHIBANew Stocks RN1965TE85L TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN1964 TEL:82766440TOSHIBANew Stocks RN1964 TEL:82766440 TOSHIBA SOT-363PohledPoptávka -
RN1964FETOSHIBATOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) ICPohledPoptávka -
RN1964(TE85RTOSHIBANew Stocks RN1964(TE85R TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN1963FS(TPL3)ToshibaNew Stocks RN1963FS(TPL3) Toshiba SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN1964/XXDTOSHIBANew Stocks RN1964/XXD TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN1965FETOSHIBATOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) ICPohledPoptávka -
RN1965FS(TPL3)ToshibaNew Stocks RN1965FS(TPL3) Toshiba SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN1964(TE85R)TOSHIBANew Stocks RN1964(TE85R) TOSHIBA SMD or Through HolePohledPoptávka -
RN1964 (TE85R)TOSHIBANew Stocks RN1964 (TE85R) TOSHIBA SOT-363PohledPoptávka -
RN1965TOSHIBATOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ICPohledPoptávka -
RN1964TE85LFToshiba Semiconductor and StorageTRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6StaženíPohledUS$ 0.04Poptávka -
RN1964FSTOSHIBANew Stocks RN1964FS TOSHIBA SOT23-6PohledPoptávka -
RN1965(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageTRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6StaženíPohledPoptávka -
RN1964(TE85L)ToshibaNew Stocks RN1964(TE85L) Toshiba TransistorPohledPoptávka
Distributor Toshiba Semiconductor and Storage
- Společnost Touchstone Semiconductor Inc. vytváří vysoce výkonné analogové integrované obvody (IC), které řeší kritické problémy pro elektronické společnosti. Naše proprietární produkty nabízejí jedinečnou kombinaci vlastností a výkonu, které nelze nalézt jinde na analogovém trhu. Naše výrobky s druhým zdrojem jsou kompatibilní se špičkami a specifikacemi, které jsou shodné s konkurenčními nabídkami a poskytují ideální alternativu pro těžko zabezpečitelné výrobky s jediným zdrojem. Společnost Touchstone, která byla založena v roce 2010, sídlí v Milpitas v Kalifornii. Mezi její investory patří Opus Capital a Khosla Ventures.
Naším posláním na společnosti Touchstone Semiconductor je navržení skvělých vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů, které vám pomohou vyřešit problémy vašich zákazníků. Děláme to vývojem vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů s nízkým výkonem, které snižují spotřebu energie ve vašich produktech.