domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - pole > HN1A01FE-Y,LF
Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
HN1A01FE-Y,LF
| EXSHINE Part Number: | EX-HN1A01FE-Y,LF |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | HN1A01FE-Y,LF |
| Výrobce / Značka: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stručný popis: | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | HN1A01FE |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Dostupnost v reálném čase pro
HN1A01FE-Y,LF
Na skladě: 69922000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
Na skladě: 69922000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max) | 50V |
|---|---|
| VCE Saturation (Max) @ IB, IC | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Dodavatel zařízení Package | ES6 |
| Série | - |
| Power - Max | 100mW |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | SOT-563, SOT-666 |
| Ostatní jména | HN1A01FE-Y(T5L,F,T HN1A01FE-Y(T5LFTTR HN1A01FE-Y(T5LFTTR-ND HN1A01FE-Y,LF(B HN1A01FE-Y,LF(T HN1A01FE-YLF(BTR HN1A01FE-YLF(BTR-ND HN1A01FE-YLFTR HN1A01FEYLFTR HN1A01FEYLFTR-ND |
| Provozní teplota | 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 16 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce | HN1A01FE-Y,LF |
| Frekvence - Přechod | 80MHz |
| Rozšířený popis | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Popis | TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Aktuální - sběratel Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Proud - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Ostatní
| standardní balení | 4,000 |
|---|---|
| Ostatní jména | HN1A01FE-Y(T5L,F,T HN1A01FE-Y(T5LFTTR HN1A01FE-Y(T5LFTTR-ND HN1A01FE-Y,LF(B HN1A01FE-Y,LF(T HN1A01FE-YLF(BTR HN1A01FE-YLF(BTR-ND HN1A01FE-YLFTR HN1A01FEYLFTR HN1A01FEYLFTR-ND |
Můžete si vybrat níže uvedené platební možnosti. Máte-li jakékoli dotazy, kontaktujte náš prodejní tým.
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
Můžete si vybrat níže uvedené možnosti dodání, kontaktujte náš prodejní tým a zkontrolujte náklady na dopravu na vaši adresu.
Pokud nechcete používat naši přepravní službu, můžete si také vyzvednout z našeho skladu nebo loď pomocí vašeho kurýrního účtu.
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
HN1A01FU-GR (T5L,F)ORIGINALLow Price HN1A01FU-GR (T5L,F) ORIGINAL SOT363PohledPoptávka -
HN1A01FU(YGR)-TTOSHIBAHN1A01FU(YGR)-T SOT353 Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01FE-GRTOSHIBAHN1A01FE-GR SOT563 Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01F-Y/D1YTOSHIBAHN1A01F-Y/D1Y SMT-6 Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01FU-GR / D1GTOSHIBAHN1A01FU-GR / D1G SOT-353 Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01F-Y/TE85L.FTOSHIBAHN1A01F-Y/TE85L.F SMD or Through Hole Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01FU-G / D1GToshibaHN1A01FU-G / D1G Sot-363 Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01FE-GR(T5LTOSHIBAHN1A01FE-GR(T5L SMD or Through Hole Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01FU(T5RSNTOSHIBAHN1A01FU(T5RSN US6 Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01F-Y(TE85R) SOT163-D1YTOSHIBAHN1A01F-Y(TE85R) SOT163-D1Y SMD or Through Hole Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01FUTOSHIBASilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ICPohledPoptávka -
HN1A01FU(T5RSN,F,TTOSHIBAHN1A01FU(T5RSN,F,T US6 Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01FU-GRTOSHIBAHN1A01FU-GR TOSHIBA SC70-6 New Original StocksPohledPoptávka -
HN1A01FETOSHIBASilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ICPohledPoptávka -
HN1A01F-Y(TE85R)TOSHIBALow Price HN1A01F-Y(TE85R) TOSHIBA SOT163PohledPoptávka -
HN1A01FE-YTOSHIBAHN1A01FE-Y SOT Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01F-Y(TE85LF)TOSHIBAHN1A01F-Y(TE85LF) SMD or Through Hole Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01FU-GTOSHIBAHN1A01FU-G SOT-363 SOT-323-6 Original Package StockPohledPoptávka -
HN1A01FE-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageTRANS 2PNP 50V 0.15A ES6StaženíPohledUS$ 0.06Poptávka -
HN1A01FU(D1G)TOSLow Price HN1A01FU(D1G) TOS SOT-363PohledPoptávka
Distributor Toshiba Semiconductor and Storage
- Společnost Touchstone Semiconductor Inc. vytváří vysoce výkonné analogové integrované obvody (IC), které řeší kritické problémy pro elektronické společnosti. Naše proprietární produkty nabízejí jedinečnou kombinaci vlastností a výkonu, které nelze nalézt jinde na analogovém trhu. Naše výrobky s druhým zdrojem jsou kompatibilní se špičkami a specifikacemi, které jsou shodné s konkurenčními nabídkami a poskytují ideální alternativu pro těžko zabezpečitelné výrobky s jediným zdrojem. Společnost Touchstone, která byla založena v roce 2010, sídlí v Milpitas v Kalifornii. Mezi její investory patří Opus Capital a Khosla Ventures.
Naším posláním na společnosti Touchstone Semiconductor je navržení skvělých vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů, které vám pomohou vyřešit problémy vašich zákazníků. Děláme to vývojem vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů s nízkým výkonem, které snižují spotřebu energie ve vašich produktech.