Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
2SK2854(TE12L,F)
| EXSHINE Part Number: | EX-2SK2854(TE12L,F) |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | 2SK2854(TE12L,F) |
| Výrobce / Značka: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stručný popis: | MOSFET RF N CH 10V 500MA |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | 2SK2854 |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Na skladě: 84260000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí - Test | - |
|---|---|
| Napětí - Jmenovitá | 10V |
| Transistor Type | N-Channel |
| Dodavatel zařízení Package | PW-MINI |
| Série | - |
| Power - Výstup | 23dBmW |
| Obal | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice | TO-243AA |
| Ostatní jména | 2SK2854(TE12LF)TR |
| hluk Obrázek | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce | 2SK2854(TE12L,F) |
| Získat | - |
| Frekvence | 849MHz |
| Rozšířený popis | RF Mosfet N-Channel 849MHz 23dBmW PW-MINI |
| Popis | MOSFET RF N CH 10V 500MA |
| Jmenovitá hodnota proudu | 500mA |
| Aktuální - Test | - |
Ostatní
| Ostatní jména | 2SK2854(TE12LF)TR |
|---|---|
| standardní balení | 1,000 |
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
2SK2850/FMH06N90GFUJI2SK2850/FMH06N90G FUJI SMD or Through Hole New in stockPohledPoptávka -
2SK2850-01/SCFEC2SK2850-01/SC FEC N A new date code and low pricePohledPoptávka -
2SK2854TOSHIBAFIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION ICPohledPoptávka -
2SK2850-1FUJI2SK2850-1 FUJI SMD or Through Hole new date code and low pricePohledPoptávka -
2SK2855_07TOSHIBAFIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION ICPohledPoptávka -
2SK2850-53TI2SK2850-53 TI Original New in stockPohledPoptávka -
2SK2851HITACHISilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching ICPohledPoptávka -
2SK2855TOSHIBAFIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION ICPohledPoptávka -
2SK2857-T1NEC2SK2857-T1 NEC SOT89 New Original StocksPohledPoptávka -
2SK2851-90TZHIT2SK2851-90TZ TO-92L Original Package StockPohledPoptávka -
2SK2850-01,2SK2850FUJINew Stocks 2SK2850-01,2SK2850 FUJI SMD or Through HolePohledPoptávka -
2SK2857(0)-T1NEC2SK2857(0)-T1 NEC SOT89 New in stockPohledPoptávka -
2SK2857-TNEC2SK2857-T NEC SMD or Through Hole new date code and low pricePohledPoptávka -
2SK2857 / NXNEC2SK2857 / NX NEC SOT-89 new date code and low pricePohledPoptávka -
2SK2857NECN-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING ICPohledPoptávka -
2SK2850-01,FUJINew Stocks 2SK2850-01, FUJI SMD or Through HolePohledPoptávka -
2SK2854_07TOSHIBAFIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION ICPohledPoptávka -
2SK2857-T1 4A/60VNEC2SK2857-T1 4A/60V NEC SOT89 new date code and low pricePohledPoptávka -
2SK2854(TE12LTOSHIBA2SK2854(TE12L TOSHIBA SMD or Through Hole new date code and low pricePohledPoptávka -
2SK2856TOSHIBAN CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) ICPohledPoptávka
Distributor Toshiba Semiconductor and Storage
- Společnost Touchstone Semiconductor Inc. vytváří vysoce výkonné analogové integrované obvody (IC), které řeší kritické problémy pro elektronické společnosti. Naše proprietární produkty nabízejí jedinečnou kombinaci vlastností a výkonu, které nelze nalézt jinde na analogovém trhu. Naše výrobky s druhým zdrojem jsou kompatibilní se špičkami a specifikacemi, které jsou shodné s konkurenčními nabídkami a poskytují ideální alternativu pro těžko zabezpečitelné výrobky s jediným zdrojem. Společnost Touchstone, která byla založena v roce 2010, sídlí v Milpitas v Kalifornii. Mezi její investory patří Opus Capital a Khosla Ventures.
Naším posláním na společnosti Touchstone Semiconductor je navržení skvělých vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů, které vám pomohou vyřešit problémy vašich zákazníků. Děláme to vývojem vysoce výkonných analogových integrovaných obvodů s nízkým výkonem, které snižují spotřebu energie ve vašich produktech.