Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
X0403BE
| EXSHINE Part Number: | EX-X0403BE |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | X0403BE |
| Výrobce / Značka: | STMicroelectronics |
| Stručný popis: | SENSITINE GATE SCR IC |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | X0403BE |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Na skladě: 33671 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí | - |
|---|---|
| Rychlost | - |
| Série | X040 |
| Original | |
| Provozní teplota | - |
| Typ montáže | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 |
| Kód součásti MFG | X0403BE |
| Funkce | - |
| Čas doručení | 1 Day |
| Datum Kód | New |
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
X0402NF1AA2STMX0402NF1AA2 STM SMD or Through Hole New in stockPohledPoptávka -
X0403DESTMICROELECTRONICSSENSITINE GATE SCR ICPohledPoptávka -
X0402NE 1AA2STMicroelectronicsSCR 800V 4A TO202-1StaženíPohledPoptávka -
X0402MFX0403MFX0402NFX0403NFORIGINALX0402MFX0403MFX0402NFX0403NF ORIGINAL SMD or Through Hole New in stockPohledPoptávka -
X0402MFA2STX0402MFA2 ST SMD or Through Hole New in stockPohledPoptávka -
X0403DE 1AA2(E)STMX0403DE 1AA2(E) STM SMD or Through Hole New in stockPohledPoptávka -
X0403EFSTX0403EF ST TO-202 New in stockPohledPoptávka -
X0403STX0403 ST SMD or Through Hole New in stockPohledPoptávka -
X0402SA3STX0402SA3 ST DIP-8P New in stockPohledPoptávka -
X0402MF1AA2(ROHS) D/C10STX0402MF1AA2(ROHS) D/C10 ST TO-202-3 New in stockPohledPoptávka -
X0403DF-0AA2ST-MICROX0403DF-0AA2 ST-MICRO SMD or Through Hole New in stockPohledPoptávka -
X0403DFSTMICROELECTRONICSSENSITINE GATE SCR ICPohledPoptávka -
X0403DF 1AA2STMicroelectronicsSCR 4A 400V TO202-3StaženíPohledUS$ 0.378Poptávka -
X0402NFSTMICROELECTRONICSSENSITINE GATE SCR ICPohledPoptávka -
X0403BFSTMICROELECTRONICSSENSITINE GATE SCR ICPohledPoptávka -
X0403DF-1AA2STMICROELECTRONICSX0403DF-1AA2 STMICROELECTRONICS SMD or Through Hole New in stockPohledPoptávka -
X0402NESTMICROELECTRONICSSENSITINE GATE SCR ICPohledPoptávka -
X0402NF 1AA2STMicroelectronicsSCR 4A 200UA 800V TO202-3StaženíPohledUS$ 0.395Poptávka -
X0403DE1AA2ORIGINALX0403DE1AA2 ORIGINAL SMD or Through Hole New in stockPohledPoptávka -
X0403DF1AA2STMX0403DF1AA2 STM SMD or Through Hole New in stockPohledPoptávka
Distributor STMICROELECTRONICS
- Storm Interface - Účel společnosti: Vyvinout, vyrábět a prodávat robustní a citlivé zařízení pro vkládání dat pro použití v široké škále průmyslových i veřejných aplikací.
Společnost Keymat Technology Ltd. vznikla v březnu 1986 jako soukromá registrovaná společnost ve Velké Británii. Má sídlo ve vlastních vlastních prostorách, západně od Londýna, jen čtyři míle severně od letiště Heathrow. Výrobní divize společnosti "Storm Manufacturing" sídlí v Maldonu, na východním pobřeží Anglie a její severoamerická prodejní divize se nachází v Glen Ellynu, Illinois nedaleko Chicaga.
Základní technologie spínacích technologií vyvinuté společností jsou chráněny mezinárodními patenty a patentovými přihláškami. Tyto technologie jsou i nadále vyvíjeny a začleněny do nových inovativních produktů, které rozšiřují a doplňují zavedený sortiment výrobků.
Tato strategie dalšího rozvoje umožnila společnosti uvádět na trh širší škálu produktů pro zadávání údajů pod jednou silnou ochrannou známkou "STORM". Jedná se o prémiové značkové produkty, které odrážejí náročné inženýrské a výkonnostní standardy požadované v dnešním vojenském, lékařském, průmyslovém a veřejném prostředí.