Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
STTH806
| EXSHINE Part Number: | EX-STTH806 |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | STTH806 |
| Výrobce / Značka: | STMicroelectronics |
| Stručný popis: | Turbo 2 ultrafast - high voltage rectifier IC |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | 1 |
| Stáhnout datový list: | STTH806 |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Na skladě: 13575 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí | - |
|---|---|
| Rychlost | - |
| Série | STTH |
| Original | |
| Provozní teplota | - |
| Typ montáže | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 |
| Kód součásti MFG | STTH806 |
| Funkce | - |
| Čas doručení | 1 Day |
| Datum Kód | New |
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
STTH802GSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A D2PAKStaženíPohledUS$ 0.745Poptávka -
STTH803G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 300V 8A D2PAKStaženíPohledUS$ 0.477Poptávka -
STTH806DRGSTNew Stocks STTH806DRG ST TO-220PohledPoptávka -
STTH806CTSTSTTH806CT ST TO-220 new date code and low pricePohledPoptávka -
STTH806DFISTNew Stocks STTH806DFI ST TO-220PohledPoptávka -
STTH806DTSTSTTH806DT ST TO220 new date code and low pricePohledPoptávka -
STTH806DIRGSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACStaženíPohledUS$ 1.279Poptávka -
STTH803STSTTH803 ST SOT-263 new date code and low pricePohledPoptávka -
STTH806DISTSTTH806DI ST TO-220 new date code and low pricePohledPoptávka -
STTH803GSTSTTH803G ST TO263 New in stockPohledPoptávka -
STTH806DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACStaženíPohledUS$ 0.991Poptávka -
STTH806DTISTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 600V 8A TO220ACStaženíPohledUS$ 1.698Poptávka -
STTH803CGSTNew Stocks STTH803CG ST TO-263PohledPoptávka -
STTH803DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 300V 8A TO220ACStaženíPohledUS$ 0.509Poptávka -
STTH806BORIGINALNew Stocks STTH806B ORIGINAL SMD or Through HolePohledPoptávka -
STTH802FPSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A TO220FPStaženíPohledUS$ 0.583Poptávka -
STTH8030STSTTH8030 ST TO-220 new date code and low pricePohledPoptávka -
STTH802G-TRSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 200V 8A D2PAKStaženíPohledUS$ 0.661Poptávka -
STTH806DT1STNew Stocks STTH806DT1 ST SMD or Through HolePohledPoptávka -
STTH803D STTH803STNew Stocks STTH803D STTH803 ST TO-220PohledPoptávka
Distributor STMICROELECTRONICS
- Storm Interface - Účel společnosti: Vyvinout, vyrábět a prodávat robustní a citlivé zařízení pro vkládání dat pro použití v široké škále průmyslových i veřejných aplikací.
Společnost Keymat Technology Ltd. vznikla v březnu 1986 jako soukromá registrovaná společnost ve Velké Británii. Má sídlo ve vlastních vlastních prostorách, západně od Londýna, jen čtyři míle severně od letiště Heathrow. Výrobní divize společnosti "Storm Manufacturing" sídlí v Maldonu, na východním pobřeží Anglie a její severoamerická prodejní divize se nachází v Glen Ellynu, Illinois nedaleko Chicaga.
Základní technologie spínacích technologií vyvinuté společností jsou chráněny mezinárodními patenty a patentovými přihláškami. Tyto technologie jsou i nadále vyvíjeny a začleněny do nových inovativních produktů, které rozšiřují a doplňují zavedený sortiment výrobků.
Tato strategie dalšího rozvoje umožnila společnosti uvádět na trh širší škálu produktů pro zadávání údajů pod jednou silnou ochrannou známkou "STORM". Jedná se o prémiové značkové produkty, které odrážejí náročné inženýrské a výkonnostní standardy požadované v dnešním vojenském, lékařském, průmyslovém a veřejném prostředí.