Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
STI18N60M2
| EXSHINE Part Number: | EX-STI18N60M2 |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | STI18N60M2 |
| Výrobce / Značka: | STMicroelectronics |
| Stručný popis: | MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | STI18N60M2 |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Na skladě: 37210 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Série | * |
|---|---|
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 22 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce | STI18N60M2 |
| Rozšířený popis | |
| Popis | MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK |
Ostatní
| standardní balení | 50 |
|---|
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
STI21N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 17A I2PAKStaženíPohledUS$ 1.823Poptávka -
STi161CT100SIISTi161CT100 QFP100 Original Package StockPohledPoptávka -
STI2003ORIGINALSTI2003 ORIGINAL SMD or Through Hole new date code and low pricePohledPoptávka -
STI20P4CX60SSTSTI20P4CX60S QFP Original Package StockPohledPoptávka -
STI20N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 18A I2PAKStaženíPohledUS$ 2.102Poptávka -
STI18NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A I2PAKStaženíPohledPoptávka -
STI200N6F3STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 120A I2PAKStaženíPohledPoptávka -
STI19NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAKStaženíPohledPoptávka -
STI18N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 12A I2PAKStaženíPohledUS$ 1.058Poptávka -
STI201P2BX50SSTSTI201P2BX50S QFP Original Package StockPohledPoptávka -
STI170BCL64NULLSTI170BCL64 QFP Original Package StockPohledPoptávka -
STI17NF25STMicroelectronicsMOSFET N-CH 250V 17A I2PAKStaženíPohledPoptávka -
STI15NM65NSTMICROELECTRONICSN-channel 650V - 0.25 - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFETPohledPoptávka -
STI18N65M5STMicroelectronicsMOSFET N CH 650V 15A I2PAKStaženíPohledUS$ 2.17Poptávka -
STI160N75F3STSTI160N75F3 TO220 Original Package StockPohledPoptávka -
STI18933ACQFPSTSTI18933ACQFP QFP Original Package StockPohledPoptávka -
STI16NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 15A I2PAKStaženíPohledPoptávka -
STI1602V2TISTI1602V2 TI QFP New in stockPohledPoptávka -
STI16N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 12A I2PAKStaženíPohledUS$ 1.848Poptávka -
STI169CT100SIIICONSTI169CT100 TQFP Original Package StockPohledPoptávka
Distributor STMicroelectronics
- Storm Interface - Účel společnosti: Vyvinout, vyrábět a prodávat robustní a citlivé zařízení pro vkládání dat pro použití v široké škále průmyslových i veřejných aplikací.
Společnost Keymat Technology Ltd. vznikla v březnu 1986 jako soukromá registrovaná společnost ve Velké Británii. Má sídlo ve vlastních vlastních prostorách, západně od Londýna, jen čtyři míle severně od letiště Heathrow. Výrobní divize společnosti "Storm Manufacturing" sídlí v Maldonu, na východním pobřeží Anglie a její severoamerická prodejní divize se nachází v Glen Ellynu, Illinois nedaleko Chicaga.
Základní technologie spínacích technologií vyvinuté společností jsou chráněny mezinárodními patenty a patentovými přihláškami. Tyto technologie jsou i nadále vyvíjeny a začleněny do nových inovativních produktů, které rozšiřují a doplňují zavedený sortiment výrobků.
Tato strategie dalšího rozvoje umožnila společnosti uvádět na trh širší škálu produktů pro zadávání údajů pod jednou silnou ochrannou známkou "STORM". Jedná se o prémiové značkové produkty, které odrážejí náročné inženýrské a výkonnostní standardy požadované v dnešním vojenském, lékařském, průmyslovém a veřejném prostředí.