Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
S12Q
| EXSHINE Part Number: | EX-S12Q |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | S12Q |
| Výrobce / Značka: | GeneSiC Semiconductor |
| Stručný popis: | DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4 |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | 1 |
| Stáhnout datový list: | S12K~S12QRDO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Dostupnost v reálném čase pro
S12Q
Na skladě: 23890 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
Na skladě: 23890 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1.1V @ 12A |
|---|---|
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Dodavatel zařízení Package | DO-4 |
| Rychlost | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Série | - |
| Obal | Bulk |
| Paket / krabice | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Ostatní jména | 1242-1235 S12QGN S12QGN-ND |
| Provozní teplota - spojení | -65°C ~ 175°C |
| Typ montáže | Chassis, Stud Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 10 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce | S12Q |
| Rozšířený popis | Diode Standard 1200V (1.2kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Diode Type | Standard |
| Popis | DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr | 10µA @ 50V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 12A |
| Kapacitní @ Vr, F | - |
Ostatní
| standardní balení | 5 |
|---|---|
| Ostatní jména | 1242-1235 S12QGN S12QGN-ND |
Můžete si vybrat níže uvedené platební možnosti. Máte-li jakékoli dotazy, kontaktujte náš prodejní tým.
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
Můžete si vybrat níže uvedené možnosti dodání, kontaktujte náš prodejní tým a zkontrolujte náklady na dopravu na vaši adresu.
Pokud nechcete používat naši přepravní službu, můžete si také vyzvednout z našeho skladu nebo loď pomocí vašeho kurýrního účtu.
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
S12OSCV2DMOTOROLAMC9S12DT128 Device User Guide V02.09 ICPohledPoptávka -
S12PIMH256V1/DFREESCALEDevice User Guide V01.18 ICPohledPoptávka -
S12SCIV2DMOTOROLAMC9S12DT128B ICPohledPoptávka -
S12R15EXSHINE1 AND 2 WATT DC/DC CONVERTERSPohledPoptávka -
S12QRGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4StaženíPohledUS$ 5.419Poptávka -
S12PIMDT128V1DMOTOROLAMC9S12DT128B ICPohledPoptávka -
S12R-2405PLOETHS12R-2405 PLOETH SIP5 new date code and low pricePohledPoptávka -
S12SCIV2/DFREESCALEDevice User Guide V01.18 ICPohledPoptávka -
S12SA01AXNE01GENERALS12SA01AXNE01 SMD or Through Hole Original Package StockPohledPoptávka -
S12OSCV2MOTOROLAMC9S12DT128 Device User Guide V02.09 ICPohledPoptávka -
S12PIMDT128V1MOTOROLAMC9S12DT128B ICPohledPoptávka -
S12SPIV2MOTOROLAMC9S12DT128B ICPohledPoptávka -
S12PWM8B8CV1DMOTOROLAMC9S12DT128B ICPohledPoptávka -
S12SCIV2MOTOROLAMC9S12DT128B ICPohledPoptávka -
S12SPIV2/DFREESCALEDevice User Guide V01.18 ICPohledPoptávka -
S12P-XL-HDS/LF/SNJSTGMBHLow Price S12P-XL-HDS/LF/SN JSTGMBH SMD or Through HolePohledPoptávka -
S12PXLHDSJSTS12PXLHDS JST SMD or Through Hole new date code and low pricePohledPoptávka -
S12PWM8B6CV1/DFREESCALEDevice User Guide V01.18 ICPohledPoptávka -
S12PWM8B8CV1MOTOROLAMC9S12DT128B ICPohledPoptávka -
S12SPIV2DMOTOROLAMC9S12DT128B ICPohledPoptávka
Distributor GeneSiC Semiconductor
- Společnost Global Power Technologies, Inc. ("GPTG"), založená v roce 2007, je integrovanou vývojovou a výrobní společností zaměřenou na produkty založené na technologiích SiC (Silicon Carbide). Tyto produkty budou základem energetické elektroniky a energetického průmyslu v budoucích letech, kdy budou vyžadovány pokročilé technologie pro nízkou cenu, vysoce efektivní výrobu, konverzi a přenos energie.