Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
KBPM202G
| EXSHINE Part Number: | EX-KBPM202G |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | KBPM202G |
| Výrobce / Značka: | GeneSiC Semiconductor |
| Stručný popis: | DIODE BRIDGE 200V 2A KBPM |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | KBPM2005G~204GKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Dostupnost v reálném čase pro
KBPM202G
Na skladě: 89957 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
Na skladě: 89957 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí - Peak Reverse (Max) | 200V |
|---|---|
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1.1V @ 2A |
| Technika | Standard |
| Dodavatel zařízení Package | KBPM |
| Série | - |
| Obal | Bulk |
| Paket / krabice | 4-SIP, KBPM |
| Ostatní jména | KBPM202GGN |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní číslo výrobce | KBPM202G |
| Rozšířený popis | Bridge Rectifier Single Phase 200V 2A Through Hole KBPM |
| Diode Type | Single Phase |
| Popis | DIODE BRIDGE 200V 2A KBPM |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr | 5µA @ 50V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 2A |
Ostatní
| Ostatní jména | KBPM202GGN |
|---|---|
| standardní balení | 1,000 |
Můžete si vybrat níže uvedené platební možnosti. Máte-li jakékoli dotazy, kontaktujte náš prodejní tým.
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
Můžete si vybrat níže uvedené možnosti dodání, kontaktujte náš prodejní tým a zkontrolujte náklady na dopravu na vaši adresu.
Pokud nechcete používat naši přepravní službu, můžete si také vyzvednout z našeho skladu nebo loď pomocí vašeho kurýrního účtu.
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
KBPM 8421(H)OMRON/New Stocks KBPM 8421(H) OMRON/ SMD or Through HolePohledPoptávka -
KBPM206ORIGINALKBPM206 ORIGINAL KBP New in stockPohledPoptávka -
KBPM201GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 100V 2A KBPMStaženíPohledPoptávka -
KBPM304GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 400V 3A KBPMStaženíPohledPoptávka -
KBPM208BORIGINALNew Stocks KBPM208B ORIGINAL DIP4PohledPoptávka -
KBPM301GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 100V 3A KBPMStaženíPohledPoptávka -
KBPL405KBPLow Price KBPL405 KBP DIPPohledPoptávka -
KBPM 8421OMRON/New Stocks KBPM 8421 OMRON/ SMD or Through HolePohledPoptávka -
KBPM-8421OMRON/KBPM-8421 OMRON/ null New Original StocksPohledPoptávka -
KBPM208GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 800V 2A KBPMStaženíPohledPoptávka -
KBPM302GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 200V 3A KBPMStaženíPohledPoptávka -
KBPM3005GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 50V 3A KBPMStaženíPohledPoptávka -
KBPL5010ORIGINALLow Price KBPL5010 ORIGINAL DIPPohledPoptávka -
KBPM2005GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 50V 2A KBPMStaženíPohledPoptávka -
KBPMFAIRCHILD ON SEMIKBPM (FS PKG CODE R1) ICPohledPoptávka -
KBPM210GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 1000V 2A KBPMStaženíPohledPoptávka -
KBPL106ORIGINALKBPL106 ORIGINAL KBP new date code and low pricePohledPoptávka -
KBPM204GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 400V 2A KBPMStaženíPohledPoptávka -
KBPM206GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 600V 2A KBPMStaženíPohledPoptávka -
KBPM 8421(B)OMRON/New Stocks KBPM 8421(B) OMRON/ SMD or Through HolePohledPoptávka
Distributor GeneSiC Semiconductor
- Společnost Global Power Technologies, Inc. ("GPTG"), založená v roce 2007, je integrovanou vývojovou a výrobní společností zaměřenou na produkty založené na technologiích SiC (Silicon Carbide). Tyto produkty budou základem energetické elektroniky a energetického průmyslu v budoucích letech, kdy budou vyžadovány pokročilé technologie pro nízkou cenu, vysoce efektivní výrobu, konverzi a přenos energie.