Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
KBL603G
| EXSHINE Part Number: | EX-KBL603G |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | KBL603G |
| Výrobce / Značka: | GeneSiC Semiconductor |
| Stručný popis: | DIODE BRIDGE 200V 6A KBL |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | KBL601G~604GGBL,KBP(M),KBL Pkg Drawing |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Dostupnost v reálném čase pro
KBL603G
Na skladě: 32136000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
Na skladě: 32136000 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí - Peak Reverse (Max) | 200V |
|---|---|
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1.1V @ 6A |
| Technika | Standard |
| Dodavatel zařízení Package | KBL |
| Série | - |
| Obal | Bulk |
| Paket / krabice | 4-SIP, KBL |
| Ostatní jména | KBL603GGN |
| Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 4 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce | KBL603G |
| Rozšířený popis | Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole KBL |
| Diode Type | Single Phase |
| Popis | DIODE BRIDGE 200V 6A KBL |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr | 5µA @ 200A |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 6A |
Ostatní
| Ostatní jména | KBL603GGN |
|---|---|
| standardní balení | 500 |
Můžete si vybrat níže uvedené platební možnosti. Máte-li jakékoli dotazy, kontaktujte náš prodejní tým.
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
Můžete si vybrat níže uvedené možnosti dodání, kontaktujte náš prodejní tým a zkontrolujte náklady na dopravu na vaši adresu.
Pokud nechcete používat naši přepravní službu, můžete si také vyzvednout z našeho skladu nebo loď pomocí vašeho kurýrního účtu.
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
KBL602GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 100V 6A KBLStaženíPohledUS$ 0.53Poptávka -
KBL601RENESASBRIDGE RECTIFIERS 3.0 to 6.0 Amps ICPohledPoptávka -
KBL605GLT/HY//PECKBL605G LT/HY//PEC SMD or Through Hole new date code and low pricePohledPoptávka -
KBL601_1TSCSingle Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge RectifiersPohledPoptávka -
KBL607TSCSingle Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge RectifiersPohledPoptávka -
KBL602RENESASBRIDGE RECTIFIERS 3.0 to 6.0 Amps ICPohledPoptávka -
KBL606-PKNSCKBL606-PK NSC NULL new date code and low pricePohledPoptávka -
KBL606 600V 10ATSC/SEKBL606 600V 10A TSC/SE DIP4 new date code and low pricePohledPoptávka -
KBL606GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 600V 6A KBLStaženíPohledUS$ 0.53Poptávka -
KBL510SEP/TSCKBL510 SEP/TSC DIP New in stockPohledPoptávka -
KBL603TSCSingle Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge RectifiersPohledPoptávka -
KBL601GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 50V 6A KBLStaženíPohledUS$ 0.53Poptávka -
KBL604RENESASBRIDGE RECTIFIERS 3.0 to 6.0 Amps ICPohledPoptávka -
KBL604GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 400V 6A KBLStaženíPohledUS$ 0.53Poptávka -
KBL509SEP/TSCLow Price KBL509 SEP/TSC DIPPohledPoptávka -
KBL605TSCSingle Phase 6.0 AMPS. Silicon Bridge RectifiersPohledPoptávka -
KBL607GSEPKBL607G DIP-4 Original Package StockPohledPoptávka -
KBL508NSLow Price KBL508 NS DIPPohledPoptávka -
KBL6005RENESASBRIDGE RECTIFIERS 3.0 to 6.0 Amps ICPohledPoptávka -
KBL606RENESASBRIDGE RECTIFIERS 3.0 to 6.0 Amps ICPohledPoptávka
Distributor GeneSiC Semiconductor
- Společnost Global Power Technologies, Inc. ("GPTG"), založená v roce 2007, je integrovanou vývojovou a výrobní společností zaměřenou na produkty založené na technologiích SiC (Silicon Carbide). Tyto produkty budou základem energetické elektroniky a energetického průmyslu v budoucích letech, kdy budou vyžadovány pokročilé technologie pro nízkou cenu, vysoce efektivní výrobu, konverzi a přenos energie.