Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
KBJ2508G
| EXSHINE Part Number: | EX-KBJ2508G |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | KBJ2508G |
| Výrobce / Značka: | GeneSiC Semiconductor |
| Stručný popis: | DIODE BRIDGE 800V 25A KBJ |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | KBJ2506G~2510GKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Dostupnost v reálném čase pro
KBJ2508G
Na skladě: 87640 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
Na skladě: 87640 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí - Peak Reverse (Max) | 800V |
|---|---|
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1.05V @ 12.5A |
| Technika | Standard |
| Dodavatel zařízení Package | KBJ |
| Série | - |
| Obal | Bulk |
| Paket / krabice | 4-SIP, KBJ |
| Ostatní jména | KBJ2508GGN |
| Provozní teplota | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 4 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce | KBJ2508G |
| Rozšířený popis | Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole KBJ |
| Diode Type | Single Phase |
| Popis | DIODE BRIDGE 800V 25A KBJ |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr | 10µA @ 800V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 25A |
Ostatní
| Ostatní jména | KBJ2508GGN |
|---|---|
| standardní balení | 300 |
Můžete si vybrat níže uvedené platební možnosti. Máte-li jakékoli dotazy, kontaktujte náš prodejní tým.
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
Můžete si vybrat níže uvedené možnosti dodání, kontaktujte náš prodejní tým a zkontrolujte náklady na dopravu na vaši adresu.
Pokud nechcete používat naši přepravní službu, můžete si také vyzvednout z našeho skladu nebo loď pomocí vašeho kurýrního účtu.
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
KBJ2507TSC/LT/SEPNew Stocks KBJ2507 TSC/LT/SEP SMD or Through HolePohledPoptávka -
KBJ2505EXSHINE25A SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERPohledPoptávka -
KBJ2507GSEPNew Stocks KBJ2507G SEP DIP-4PohledPoptávka -
KBJ2506GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 600V 25A KBJStaženíPohledUS$ 1.318Poptávka -
KBJ2510RENESASBRIDGE RECTIFIERS 10 Amps ICPohledPoptávka -
KBJ2504GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 400V 25A KBJStaženíPohledUS$ 1.318Poptávka -
KBJ2516SEP/TSC/LTNew Stocks KBJ2516 SEP/TSC/LT DIP-4PohledPoptávka -
KBJ2510/GBJ2510SEPNew Stocks KBJ2510/GBJ2510 SEP KBJ DIP4PohledPoptávka -
KBJ2518SEP/TSC/LTNew Stocks KBJ2518 SEP/TSC/LT DIP-4PohledPoptávka -
KBJ2508RENESASBRIDGE RECTIFIERS 10 Amps ICPohledPoptávka -
KBJ25ADAESANCURRENT 25.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 VoltsPohledPoptávka -
KBJ2506RENESASBRIDGE RECTIFIERS 10 Amps ICPohledPoptávka -
KBJ2504RENESASBRIDGE RECTIFIERS 10 Amps ICPohledPoptávka -
KBJ2509TSC/LT/SEPNew Stocks KBJ2509 TSC/LT/SEP SMD or Through HolePohledPoptávka -
KBJ25BDAESANCURRENT 25.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 VoltsPohledPoptávka -
KBJ2503GSEPNew Stocks KBJ2503G SEP DIP-4PohledPoptávka -
KBJ2510-FSEP/TSC/LTLow Price KBJ2510-F SEP/TSC/LT DIP-4PohledPoptávka -
KBJ2505GSEPNew Stocks KBJ2505G SEP DIP-4PohledPoptávka -
KBJ25DDAESANCURRENT 25.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 VoltsPohledPoptávka -
KBJ2510GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 1000V 25A KBJStaženíPohledUS$ 1.318Poptávka
Distributor GeneSiC Semiconductor
- Společnost Global Power Technologies, Inc. ("GPTG"), založená v roce 2007, je integrovanou vývojovou a výrobní společností zaměřenou na produkty založené na technologiích SiC (Silicon Carbide). Tyto produkty budou základem energetické elektroniky a energetického průmyslu v budoucích letech, kdy budou vyžadovány pokročilé technologie pro nízkou cenu, vysoce efektivní výrobu, konverzi a přenos energie.