domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > GAP3SLT33-220FP
Foto pouze pro referenci Kontaktujte nás pro více obrázků
GAP3SLT33-220FP
| EXSHINE Part Number: | EX-GAP3SLT33-220FP |
|---|---|
| Výrobce Part Number: | GAP3SLT33-220FP |
| Výrobce / Značka: | GeneSiC Semiconductor |
| Stručný popis: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| Stav volného vedení / RoHS: | Bez olova / V souladu RoHS |
| Stav: | New and unused, Original |
| Stáhnout datový list: | GAP3SLT33-220FP Datasheet |
| aplikace: | - |
| Hmotnost: | - |
| Alternativní náhrada: | - |
Dostupnost v reálném čase pro
GAP3SLT33-220FP
Na skladě: 75210 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
Na skladě: 75210 ks mohou být dodány do 1-2 dnů.
Budoucí skladem: 12 000 ks za 7-10 dní.
Dodací lhůta výrobce: 8-10 týdnů
- Popis
- Platba
- Lodní doprava
- Obal
Parametr produktu
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 1.7V @ 300mA |
|---|---|
| Napětí - DC Reverse (Vr) (Max) | 3300V (3.3kV) |
| Dodavatel zařízení Package | TO-220FP |
| Rychlost | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série | - |
| Reverse Time Recovery (TRR) | 0ns |
| Obal | Tube |
| Paket / krabice | TO-220-2 Full Pack |
| Ostatní jména | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
| Provozní teplota - spojení | -55°C ~ 175°C |
| Typ montáže | Through Hole |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby | 18 Weeks |
| Výrobní číslo výrobce | GAP3SLT33-220FP |
| Rozšířený popis | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA Through Hole TO-220FP |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Popis | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr | 5µA @ 3300V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io) | 300mA |
| Kapacitní @ Vr, F | 42pF @ 1V, 1MHz |
Ostatní
| Ostatní jména | 1242-1183 GAP3SLT33220FP |
|---|---|
| standardní balení | 500 |
Můžete si vybrat níže uvedené platební možnosti. Máte-li jakékoli dotazy, kontaktujte náš prodejní tým.
|
|
T / T (bankovní převod) Příjem: 1-4 dny. |
|
|
Paypal Příjem: okamžitě. |
|
|
západní unie Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
MoneyGram Příjem: 1–2 hodiny. |
|
|
Alipay Příjem: okamžitě. |
Můžete si vybrat níže uvedené možnosti dodání, kontaktujte náš prodejní tým a zkontrolujte náklady na dopravu na vaši adresu.
Pokud nechcete používat naši přepravní službu, můžete si také vyzvednout z našeho skladu nebo loď pomocí vašeho kurýrního účtu.
 |
DHL EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
FEDEX EXPRESS Dodací lhůta: 1-3 dny. |
 |
UPS EXPRESS Dodací lhůta: 2-4 dny. |
 |
TNT EXPRESS Dodací lhůta: 3-6 dní. |
 |
EMS EXPRESS Dodací lhůta: 7-10 dní. |
Podobný produkt
-
ObrázekMfg Číslo součástiVýrobciStručný popisDatasheetNa skladěPoložka CenaObjednat online -
GAPM2054NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsPohledPoptávka -
GAP200VORIGINALNew Stocks GAP200V ORIGINAL SMD or Through HolePohledPoptávka -
GAP34MDS4T0000POSIGAP34MDS4T0000 POSI SMD or Through Hole new date code and low pricePohledPoptávka -
GAP3010TOSHIBAGAP3010 SMD or Through Hole Original Package StockPohledPoptávka -
GAPM2095PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsPohledPoptávka -
GAPM2070PEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsPohledPoptávka -
GAP05SLT80-220GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIALStaženíPohledUS$ 295.486Poptávka -
GAPM2004NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsPohledPoptávka -
GAP201G-PLUSNew Stocks GAP201 G-PLUS QFNPohledPoptávka -
GAPM2012NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsPohledPoptávka -
GAP529N/YGAP529 N/Y SIP3 new date code and low pricePohledPoptávka -
GAP07N70EXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsPohledPoptávka -
GAP3SLT33-214GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214StaženíPohledUS$ 12.448Poptávka -
GAP123ORIGINALGAP123 ORIGINAL CAN3 new date code and low pricePohledPoptávka -
GAPM2014NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsPohledPoptávka -
GAP100ORIGINALGAP100 ORIGINAL CAN3 new date code and low pricePohledPoptávka -
GAPM2030NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsPohledPoptávka -
GAP21ORIGINALLow Price GAP21 ORIGINAL SMD or Through HolePohledPoptávka -
GAPM2007NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsPohledPoptávka -
GAPM2055NEXSHINEMini size of Discrete semiconductor elementsPohledPoptávka
Distributor GeneSiC Semiconductor
- Společnost Global Power Technologies, Inc. ("GPTG"), založená v roce 2007, je integrovanou vývojovou a výrobní společností zaměřenou na produkty založené na technologiích SiC (Silicon Carbide). Tyto produkty budou základem energetické elektroniky a energetického průmyslu v budoucích letech, kdy budou vyžadovány pokročilé technologie pro nízkou cenu, vysoce efektivní výrobu, konverzi a přenos energie.